پروژه بررسی تئوری و عددی نانو لوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی

پس از کشف نانو لوله های کربنی توسط ایجما و همکارانش بررسی های بسیار زیادی بر روی این ساختارها در سایر علوم انجام شده است. این ساختارها به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان داده اند جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانو لوله های کربنی زیگزاگ که به عنوان که یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیم و نحوه توزیع جریان در ترانزیستورهای اثر میدانی را در شرایط دمایی و میدان های مختلف بررسی کرده ایم. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده های کامپیوتری از اهمیت ویژه ای برخوردار است، انتخاب نانو لوله ای که تحرک پذیری بالایی داشته باشد بسیار مهم است. نتایج بررسی ها نشان می دهد تحرک پذیری الکترون در نانو لوله های کربنی متفاوت به ازای میدان های مختلفی که در طول نانو لوله ها اعمال می شود، مقدار پیشینه ای را خواهد گرفت. بنابراین در طراحی ترانزیستورها با توجه به مشخصه های هندسی ترانزیستور و اختلاف پتانسیلی که بین چشمه و دررو آن اعمال می شود باید نانو لوله ای را انتخاب کرد که تحرک پذیری مناسبی داشته باشد...

پروژه مورد نظر مشتمل بر چهار (4) فصل، 91 صفحه، تایپ شده، به همراه تصاویر و روابط مهم ریاضی مربوطه، با فرمت pdf جهت دانلود قرار داده شده و فصل بندی پروژه به ترتیب زیر می باشد:

فصل 1: مقدمه ای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربردهای آن

مقدمه
گونه های مختلف کربن در طبیعت
کربن بی شکل
الماس
گرافیت
فلورن و نانو لوله های کربنی
ترانزیستورهای اثر میدانی فلز، اکسید، نیم رسانا و ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله های کربنی

فصل 2: بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانو لوله های کربنی

مقدمه
ساختار الکترونی کربن
اوربیتال 2p کربن
روش وردشی
هیبریداسیون اوربیتال های کربن
ساختار هندسی گرافیت
ساختار هندسی نانو لوله های کربنی
یاخته واحد صفحه گرافیت
یاخته واحد نانو لوله های کربنی
محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانو لوله های کربنی
مولکول های محدود
ترازهای انرژی گرافیت
ترازهای انرژی نانو لوله های کربنی
چگالی حالت در نانو لوله های کربنی
نمودار پاشندگی فونون ها در صفحه گرافیت و نانو لوله های کربنی
مدل ثابت نیرو و رابطه پاشندگی فونونی برای صفحه گرافیت
رابطه پاشندگی فونونی برای نانو لوله های کربنی

فصل 3: پراکندگی الکترون فونون

مقدمه
تابع توزیع الکترون
محاسبه نرخ پراکندگی کل
شبیه سازی پراکندگی الکترون فونون
ضرورت تعریف روال واگرد

فصل 4: بحث و نتیجه گیری

مقدمه
نرخ پراکندگی
تابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکی
بررسی سرعت میانگین الکترون ها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترون
بررسی توزیع سرعت در نانو لوله های زیگزاگ نیم رسانا
بررسی جریان الکتریکی در نانو لوله ای زیگزاگ نیم رسانا
بررسی مقاومت نانو لوله ای زیگزاگ نیم رسانا
بررسی تحرک پذیری الکترون در نانو لوله های زیگزاگ نیم رسانا

جهت دانلود پروژه بررسی تئوری و عددی نانو لوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی برلینک زیر کلیک نمایید: